ຜະລິດຕະພັນຫຼັກ

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ ISO Graphite ໄດ້ຖືກຜະລິດໂດຍຜ່ານ Cold Isostatic Pressing (CIP) ເພື່ອບັນລຸຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ 3D ເປັນເອກະພາບພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນສູງ ultra- (140–200 MPa). ຜະລິດຈາກ petroleum coke ບໍລິສຸດທີ່ອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 2500 ອົງສາ, ມັນສະແດງໃຫ້ເຫັນຢູ່ໃກ້ກັບ-ຄວາມຫນາແຫນ້ນທາງທິດສະດີແລະ isotropy ທີ່ດີເລີດ, ຮັບປະກັນປະສິດທິພາບທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນທົ່ວຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຫຼາກຫຼາຍ.

ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ

ພາລາມິເຕີ	ຄ່າຫຼັກ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	1.80–1.92 g/cm³
ເນື້ອໃນຂີ້ເທົ່າ	ໜ້ອຍກວ່າ ຫຼືເທົ່າກັບ 100 ppm
ອັດຕາສ່ວນ Anisotropy	1.0–1.05
ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.2–5.0 × 10⁻⁶/K (RT–400 ອົງສາ)
ຄວາມບໍລິສຸດ	C ໃຫຍ່ກວ່າ ຫຼືເທົ່າກັບ 99.9%
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	110–130 W/(m·K)
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	55–85 MPa

ຜະລິດຕະພັນສະຫນັບສະຫນູນການປັບແຕ່ງສ່ວນບຸກຄົນ.

ຄຸນສົມບັດຫຼັກ

ສູງສຸດ-ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: Ultra-ຄວາມບໍລິສຸດຂອງຂີ້ເຖົ່າ/ໂລຫະຕ່ຳ (Fe, Ca, Na), ICP-MS ຢັ້ງຢືນແລ້ວ, ພໍດີກັບຄວາມບໍ່ສະອາດ-ຊ່ອງຂໍ້ມູນທີ່ລະອຽດອ່ອນ.
ຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ດີເລີດ: ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, porosity ຕ່ໍາ, ຊຸກຍູ້ການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມສາມາດກົນຈັກ.
Isotropy: ຄວາມແຕກຕ່າງຫນ້ອຍທີ່ສຸດໃນການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ / ຄວາມເຂັ້ມແຂງ flexural ໃນທົ່ວທິດທາງ.
ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນສູງ: ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນອຸນຫະພູມສູງໃນບັນຍາກາດ inert (ການເຄືອບທີ່ຈໍາເປັນໃນສະພາບແວດລ້ອມ oxidizing ຂ້າງເທິງອຸນຫະພູມສະເພາະ).
ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ: ທົນທານຕໍ່ການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມຢ່າງໄວວາໂດຍບໍ່ມີການແຕກ.
ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາ: ຄວາມບໍລິສຸດສູງ ISO Graphite ມີຄວາມທົນທານທີ່ແຫນ້ນຫນາແລະສາມາດປຸງແຕ່ງເປັນສ່ວນທີ່ສັບສົນ (ແຜ່ນ turbine, crucibles).

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນ

Semiconductor: Monocrystalline silicon furnace ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ/wafer carriers (ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ{0}}, ultra- impurities ຕ່ໍາ).
Photovoltaic: polysilicon ingot crucibles/ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ (ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນຂອງຊິລິໂຄນ melt).
ພະລັງງານນິວເຄລຍ:-ອາຍແກັສອຸນຫະພູມສູງ-ເຄື່ອງສະທ້ອນນິວຕຣອນເຄື່ອງປະຕິກອນເຮັດຄວາມເຢັນ (ກົງກັບຂໍ້ມູນດ້ານນິວເຄລຍ-ສະເປັກເກຣດ).
ຍານອະວະກາດ: ຮູສຽບຄໍຫົວບັ້ງໄຟ/ຮູລູກສອນໄຟ (ຕ້ານການລະບາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ສູງທີ່ສຸດ).
ລະດັບສູງ-ໂລຫະປະສົມ: ໂລຫະປະສົມ Titanium melting crucibles (ໃຊ້ຄືນໄດ້, ບໍ່ມີການຮົ່ວໄຫຼ).
ອຸປະກອນອຸດສາຫະກໍາ: EDM electrodes/ສູງ{0}ອຸນຫະພູມ furnace ພາກສ່ວນທີ່ສໍາຄັນ.

ການຢັ້ງຢືນ & ການປັບແຕ່ງ

ຄວາມບໍລິສຸດສູງ ISO Graphite ຕອບສະຫນອງມາດຕະຖານ SEMI F76 ( semiconductor), ISO 8005 (ນິວເຄຼຍ), EN 10298 / ASME BPVC (ຄວາມປອດໄພ), ແລະມາດຕະຖານ RoHS 3.0 (ສິ່ງແວດລ້ອມ). ການບໍລິການແບບກຳນົດເອງລວມມີ: ການຊິລິຊິຊິດ (ເພື່ອເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານການຜຸພັງ), ການຢັບຢັ້ງຂັ້ນສອງ (ເພື່ອເພີ່ມຄວາມໜາແໜ້ນ), ແລະ-ການເພີ່ມປະສິດທິພາບໂຄງສ້າງອັນດີ (ເພື່ອປັບປຸງຄວາມທົນທານ).